Холлофайбер® оказался устойчивым к радиационной стерилизации

Ученые Казанского национального исследовательского технологического университета (КНИТУ) в ходе многолетних исследований нетканых материалов пришли к выводу об устойчивости Холлофайбер® к радиационной стерилизации.

Старший научный сотрудник ИЦ "Нетканые материалы, доцент кафедры "Медицинской инженерии" КНИТУ к.т.н. Мария Лисаневич, отмечает, что были изучены следующие показатели материалов Холлофайбер® после радиационной стерилизации: гигроскопичность, воздухопроницаемость, электризуемость, жесткость при изгибе, прочность при удлинении. В результате изучения после радиационного излучения Холлофайбер® в диапазоне доз от 20-60 кГр, существенных изменений потребительских характеристик не произошло.

Как сообщают группа казанских ученых, объекты исследования облучались электронным излучением на радиационной установке «Электронный стерилизатор» с ускорителем электронов УЭЛВ-10-10-С-70 (ИФХЭ РАН). Радиационная стерилизация НМ осуществлялась не только в диапазоне доз от 20 кГр, что обеспечивает гибель спорообразующих бактерий. В ходе работы было рассмотрено изменение свойств материалов в интервале поглощенной дозы до 60 кГр. Данная методика безопасна и применяется в медицинских учреждениях.

Кроме этого, в исследовании отмечено, что увеличение дозы ионизирующего облучения практически не сказывается на разрывной нагрузке Холлофайбер®: она меняется в пределах от 1-5%.

Казанские ученые исследовали материалы Холлофайбер® ПРОФИ и Холлофайбер® СОФТ различных плотностей, в которых была выявлена ещё одна особенность – стабилизация в ходе обработки.

Исследования продолжаются. Однако уже сегодня нетканые материалы получили рекомендацию для производства медицинских изделий с учетом устойчивости к радиационной стерилизации.

Данные исследования будут впервые раскрыты на Всероссийской конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы создания материалов и аспекты технологий текстильной и легкой промышленности», которая состоится на базе ФГБОУ ВО «Казанский национальный исследовательский технологический университет» 14-15 ноября 2019 г.